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Si5933CDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 5 V thru 2.5 V
V GS = 2 V
2.0
1.5
6
1.0
4
V GS = 1.5 V
0.5
T C = 25 °C
2
0
V GS = 1 V
0.0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.30
0.25
0.20
0.15
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = - 1.8 V
V GS = - 2.5 V
540
450
360
270
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.10
V GS = - 4.5 V
1 8 0
0.05
0.00
90
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
5
4
3
I D - Drain C u rrent (A)
On Resistance vs. Drain Current
I D = 2.5 A
V DS = 10 V
1.5
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
1.1
V GS = 4.5 V; I D = 2.5 A
2
V DS = 16 V
0.9
1
V GS = 2.5 V; I D = 2.2 A
0
0.7
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68822
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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